미세한 전류와 빛을 민감하게 검출하는 나노선 센서 개발

 

- 생체 내부 미세한 화학 반응의 선택적 감지 가능성 제시 -

 

 

□ 한국과 미국 공동연구진이 미세한 전류와 빛을 민감하게 감지할 수 있는 나노선* 센서를 개발했다.
  * 나노선 : 실리콘과 같은 반도체 물질의 지름이 수십 ~ 수백 나노미터(10억분의 1 m) 정도이고,
길이가 수 마이크로미터 혹은 그 이상인 나노 구조체.

 

□ 한국연구재단(이사장 정민근)은 미래창조과학부 기초연구사업(개인연구)의 지원을 받은 박홍규
교수(고려대) 연구팀(공동연구 하버드대 찰스 리버 교수)이 전기와 광 신호를 민감하게 감지하여
측정할 수 있는 1차원 반도체 나노선 극미세 센서를 성공적으로 구현하였다고 밝혔다.

 

□ 본 연구결과는 미국화학회에서 발행하는 국제적으로 권위 있는 과학 학술지
‘나노레터즈(Nano Letters)’에 6월 27일자로 게재되었다.

 

□ 1차원 반도체 나노선은 크기가 매우 작고 전기 및 광 특성이 우수하여 수백 나노미터 크기의
트랜지스터 및 LED, 태양전지 등의 제작에 다양하게 응용되고 있다.


 o 특히 반도체 나노선은 뾰족한 끝단을 통해 세포 내 침투가 용이하므로 바이오 센서로서 활용성이 높다.
반도체 나노선을 이용한 생화학 센서는 생체 내 특정 영역에서 일어나는 생화학 작용에 따른 전기적,
광학적 변화를 효과적으로 감지할 수 있다.


 o 그러나 높은 민감도를 보유한 채 단일 세포 내의 특정 영역만을 선택적으로 접근하여 신호를
감지하는 극미세 나노선 센서의 구현은 여전히 어려웠다.

 

□ 이에 박홍규 교수팀은 실리콘 나노선의 한 쪽 끝단에만 반도체 p-n 접합*을 형성하여,
나노선의 p-n 접합을 통해서만 특정 영역에서 전기 혹은 광 신호가 검출되는 새로운 형태의
나노선 센서를 개발하였다.

  * 반도체 p-n 접합 : 반도체에 불순물을 도입하면 전자와 양공의 상대적 농도 차이에 따라 양극
(p형) 및 음극 (n형) 반도체를 만들 수 있는데, 이들 두 반도체가 만나는 영역 혹은 경계.

 

 o 나노선 소자가 주변의 변화에 민감하게 반응하는 화학센서임을 전해용액을 이용한 게이트
실험을 통해 밝혔다. 센서 민감도의 90%를 차지하는 나노선 끝 부분에 형성된 p-n 접합은,
생체 내 특정 영역에서 전기신호를 측정하는데 매우 유용하다. 


 o 또한 나노선 소자가 빛에 민감하게 반응하는 광센서임을 레이저를 이용한 광학 실험을 통해 밝혔다.
나노선 센서의 광 반응도는 약 0.22 A/W*로, 기존에 보고된 단일 나노선 소자(광 반응도 약 0.001 A/W)들에 비해 100배 이상 우수하다.

   * A/W : 입사되는 빛의 전력이 1와트(W)일 때 몇 암페어(A)의 전류가 생성되는지에 대한 비율을 나타내는 단위.

 

□ 또한 연구진은 수직형 나노선 배열 구조를 화학 합성법과 반도체 공정법을 결합하여 75%
이상의 수율*로 성공적으로 제작하였다. 해당 구조 하에서는 각각의 나노선 소자들이 개별적으로
동작할 수 있으므로, 단일 세포의 특정영역에 대한 신호 측정과 다수 세포 사이에서의 상호작용에
의한 신호를 측정하는데 매우 효과적이다. 또한 생체 내 대면적 복합 신호를 검출하는 데 매우 유용하다.

   * 수율 : 투입 수에 대한 완성된 양품의 비율. 불량률의 반대어.

 

□ 박홍규 교수는 “생체 내부 특정 영역에서 일어나는 화학 반응 및 광학 현상을 민감하게
감지할 수 있는 극미세 나노선 센서는, 향후 세포 내 생화학 반응의 생체 지도를 연구하거나
인공망막을 구현할 때 유용하게 쓰일 수 있을 것이다”며 연구의 의의를 밝혔다.

 

  

그림 1. 물질과 도핑이 지름 및 축 방향에 따라 달리 변화되는 극미세 나노선 구조. 물질의 도핑이 축 방향(왼쪽 위) 혹은 지름 방향(왼쪽 아래)을 따라 변화되는 두 구조를 결합한 새로운 나노선 구조(오른쪽).

 

  

 

그림 2. 제작된 나노선 센서. 전극이 붙어있는 나노선 소자의 전자현미경 사진 (왼쪽). p-n 접합이 있는 나노선의 끝단(오른쪽 위) 및 절연층까지 포함된 나노선의 반대쪽 끝단(오른쪽 아래)의 확대된 전자 현미경 사진.

 

  

 

그림 3. 나노선 소자의 광 특성 측정. 나노선 소자의 축 방향을 따라 빛을 비추며 측정한 광전류 분포. p-n 접합이 있는 나노선의 끝단(원점)에서 빛이 강하게 흡수되어 광전류 값이 가장 크다. 

 

  

 

그림 4. 끝단에 p-n 접합이 있는 수직형 나노선 배열 구조. 끝단에 p-n 접합이 형성된 다수의 나노선 배열 구조의 전자현미경 사진.